S7200中的V存储区设置为掉电保持后是保存到RAM(即使之用超级电容+电池卡保持)中还是EEPROM中

各位大侠,请大家帮我确认一些问题,关于S7200存储区保存的问题。
1:只有M区MB0-MB13和V区对应有EEPROM的映射区,即通过一些方法只能把这些区域的值写入EEPROM中永久保存?
2:通过系统卡中的掉电存储区设置,除了MB0-MB13是保存到EEPROM,其他的都是保存到ROM中非永久保存包括V区?
3:如果在掉电存取区中把V区偏移数设为0,V区数据是否就不能掉电保存?
4:V区数据只能通过SMB31,SMB32和EEPROM库的方式保存到EEPROM中吗。
对于上面这些问题,按我的理解回答都是肯定的,请大家帮我确定一下,感觉有些资料说的有些模棱两可

最佳答案

1、EEPROM包含程序存储区、V数据存储区的全部和M数据存储区的前14个字节、C区全部以及TONR对应区域。 也就是说V区和MB0-MB13这些区域都有对应的EEPROM永久保持区域。
2、只有M区的MB0-MB13设为保持,在断电时才直接写入EEPROM,属永久型保持,除此之外的保持是临时的由超级电容或电池保持的。若在系统块中相应V存储区设为断电数据保持,在每次PLC上电初始,CPU检测断电数据保存是否成功。若成功,则保持RAM中的相应V数据保持不变。若保存不成功,则将EEPROM中的相应V数据值读入RAM的V存储区。此方法只适用于V数据的断电数据保存。
3、4的理解是对的。

提问者对于答案的评价:
一一对应,回答的很清楚,谢谢

专家置评

断电数据保持, 请您参考以下链接:

http://www.ad.siemens.com.cn/download/searchResult.aspx?searchText=F0424

原创文章,作者:more0621,如若转载,请注明出处:https://www.zhaoplc.com/plc295296.html

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