6se70整流/回馈单元在逆变时晶闸管击穿有哪些原因,怎样解决?

6se70整流/回馈单元在逆变时晶闸管击穿有哪些原因,怎样解决?

问题补充:
二楼说得对,故障的确是出现在电源不稳定时,比如去年冰灾时,夏季负荷高峰时,甚至在高压侧接地时,都出现过晶闸管烧毁,6se70整流/回馈单元是不是提供某一个参数设置,来缓冲有源逆变时的电源电压不稳定?

最佳答案

^_^,即服一楼也服二楼。回答的详尽呀。其实楼主的问题完全可以简单的明确的回答:
 第一,回馈状态烧可控硅的原因就是此时的电网电压突然跌落或停止。产生电路的换相失败(逆变颠覆)。这是原因;
 第二,解决办法就是设置合理的进线半导体快速熔断器。这几所谓合理就是要求快熔的电流必须小于可控硅的最大允许电流,另外强调半导体是要求熔断器的快速保护,不是半导体快熔,就不能有效的保护可控硅元件了。

提问者对于答案的评价:
大侠分析得正确,你说的办法我也想过,但效果不好,还是出现快熔保护不了的情况,二楼所说换IGBT,的确经济上不允许,近100万的设备呀,是不是有类似于动能缓冲功能参数,能自动的缓冲电压不稳定?

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